销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912AMX
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912AMX
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912AMX
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912AMX
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213PBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912AMX
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213PBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912MX
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912MX
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912AMX
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"23+"：13000，"24+"：1000，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912MX
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73912AMX
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：剪切带（CT）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
