销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"23+"：27500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"23+"：27500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MPS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPQ18021HN-A-AEC1-LF-P
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MPS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPQ18021HN-A-AEC1-LF-P
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MPS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP1921HS-A-LF-Z
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"23+"：27500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"23+"：27500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"23+"：27500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MPS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPQ18021HN-A-AEC1-LF-P
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
