销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7080MX-GF085
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：300mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7080MX-GF085
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：300mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080DR2G
上升时间：19ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
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ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080DR2G
上升时间：19ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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驱动配置：半桥
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7080MX-GF085
上升时间：40ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"18+"：312141，"MI+"：13736}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
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负载类型：N沟道MOSFET
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7080MX-GF085
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驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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销售单位：个
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ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
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ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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驱动配置：半桥
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
生产批次：{"18+"：312141，"MI+"：13736}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080DR2G
上升时间：19ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"18+"：312141，"MI+"：13736}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080DR2G
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驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080DR2G
上升时间：19ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG
上升时间：19ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81080DR2G
上升时间：19ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：800mA
电源电压：5.5V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
