生产批次：{"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FL73282MX
上升时间：60ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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规格型号(MPN)：FL73282MX
上升时间：60ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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规格型号(MPN)：FL73282MX
上升时间：60ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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规格型号(MPN)：FL73282MX
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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规格型号(MPN)：FL73282MX
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驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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规格型号(MPN)：FL73282MX
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驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
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规格型号(MPN)：FL73282MX
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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