销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
下降时间：20ns
驱动配置：高压侧或低压侧
峰值灌电流：2.5A
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：5V~15V
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
上升时间：305ns
包装方式：卷带（TR）
峰值拉电流：2.5A
驱动通道数：1
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
下降时间：20ns
驱动配置：高压侧或低压侧
峰值灌电流：2.5A
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：5V~15V
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
上升时间：305ns
包装方式：卷带（TR）
峰值拉电流：2.5A
驱动通道数：1
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
