品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8851D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8851D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8851D
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：800mA
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8841D
下降时间：20ns
驱动配置：低端
工作温度：-40℃~150℃
峰值灌电流：800mA
包装方式：卷带（TR）
电源电压：10V~18V
驱动通道数：1
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
上升时间：20ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
