包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
驱动通道数:1
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
驱动通道数:1
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
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驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
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驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
驱动通道数:1
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
驱动通道数:1
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
上升时间:15ns
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):UCC27536DBVT
下降时间:10ns
峰值灌电流:2.5A
上升时间:15ns
驱动配置:低端
电源电压:10V~32V
包装方式:卷带(TR)
峰值拉电流:2.5A
驱动通道数:1
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货