销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95372BQ5M
上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：125A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LCS703HG
上升时间：限流，超温，过压，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：12.9A
电源电压：11.4V~15V
特性：自动重启，压摆率受控型
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1
上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：8V~40V
峰值灌电流：55A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LCS703LG
上升时间：限流，超温，过压，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：12.9A
电源电压：11.4V~15V
特性：自动重启，压摆率受控型
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LCS703HG
上升时间：限流，超温，过压，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：12.9A
电源电压：11.4V~15V
特性：自动重启，压摆率受控型
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1
上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：8V~40V
峰值灌电流：55A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：2500，"23+"：42500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5369NMNTXG
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：50A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86920GLV-Z
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：65A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：30A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC632CD-T1-GE3
上升时间：UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95378BQ5MC
上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"03+"：1718}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TDA21201-B7
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-25°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：9V~15V
峰值灌电流：30A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"20+"：2829}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR3553MTRPBF
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~7V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"20+"：2829}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR3553MTRPBF
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~7V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LCS703HG
上升时间：限流，超温，过压，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：12.9A
电源电压：11.4V~15V
特性：自动重启，压摆率受控型
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1
上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：8V~40V
峰值灌电流：55A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95480RWJ
上升时间：击穿
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：70A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
