品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATA6836C-TIQW
上升时间：开路负载检测，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：650mA
特性：状态标志
驱动配置：半桥（6）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATA6836C-TIQW
上升时间：开路负载检测，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：650mA
特性：状态标志
驱动配置：半桥（6）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATA6836C-TIQW
上升时间：开路负载检测，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：650mA
特性：状态标志
驱动配置：半桥（6）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATA6836C-TIQW
特性：状态标志
下降时间：功率 MOSFET
电源电压：4.75V~5.25V
上升时间：开路负载检测，超温，短路，UVLO
负载类型：电感，电容性，电阻
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
包装方式：卷带（TR）
峰值灌电流：650mA
驱动配置：半桥（6）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
下降时间：功率 MOSFET
驱动配置：半桥（4）
峰值灌电流：2.5A
负载类型：电感，电容性，电阻
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
包装方式：卷带（TR）
峰值拉电流：2.5A
特性：充电泵
电源电压：4.5V~33V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
