销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8332HDDV

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：7A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：3.5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：3.5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8332HDDV

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：7A

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驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

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负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

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特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

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峰值拉电流：6.5A

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包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

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工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

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特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：2400}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TDA21102

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：4A

电源电压：10.8V~13.2V

特性：自举电路

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

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生产批次：{"08+"：2400}

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规格型号(MPN)：TDA21102

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-25°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：4A

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特性：自举电路

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

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峰值拉电流：6.5A

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上升时间：限流，超温，短路，UVLO

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

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峰值拉电流：6.5A

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特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8332HDDV

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：7A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

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特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

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销售单位：个

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上升时间：限流，超温，短路，UVLO

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驱动配置：半桥（3）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

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特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

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特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

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特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

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峰值灌电流：3.5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

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特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

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驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

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特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1