包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4124YME
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4123YME-TR
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4125YME
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4124YME
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MAQ4124YME-VAO
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：带
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4125YME
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4124YME-TR
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1EDN7146GXTMA1
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.2V~11V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI630MCI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：9V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4125YME
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI630MYI
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：9V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI630MYI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：9V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4124YME-TR
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4124YME
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD630CI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：12.5V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN630YI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：12.5V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN630YI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：12.5V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI630MCI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：9V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4123YME-TR
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI630MCI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：9V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN630YI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：12.5V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1EDN7146GXTMA1
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.2V~11V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD630CI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：12.5V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1EDN7146GXTMA1
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.2V~11V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1EDN7146GXTMA1
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：4.2V~11V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI630MYI
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：9V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI630YI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：12.5V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI630MYI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：9V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD630YI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：12.5V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN630YI
上升时间：11ns
驱动通道数：1
下降时间：11ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：30A
电源电压：12.5V~35V
峰值灌电流：30A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
