品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304HRHAR
上升时间:300ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):750psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC5870QDWJRQ1
上升时间:150ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:15A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:15A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304SRHAR
上升时间:300ns
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":389,"22+":1000}
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):1EDI2010ASXUMA1
上升时间:120ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1 Driver
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT, MOSFET Gate Drivers
包装方式:Reel
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":389,"22+":1000}
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):1EDI2010ASXUMA1
上升时间:120ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1 Driver
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT, MOSFET Gate Drivers
包装方式:Reel
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):1EDI2010ASXUMA1
上升时间:120ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1 Driver
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT, MOSFET Gate Drivers
包装方式:Reel
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":19000}
销售单位:个
规格型号(MPN):1EDI2004ASXUMA1
上升时间:120ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+150℃
峰值拉电流:2A
峰值灌电流:2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304HRHAR
上升时间:300ns
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):280psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IM818SCCXKMA1
上升时间:25ns
驱动通道数:6 Driver
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT, MOSFET Gate Drivers
驱动配置:High-Side, Low-Side
包装方式:Tube
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):750psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC5870QDWJRQ1
上升时间:150ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:15A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:15A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304HRHAR
上升时间:300ns
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":389,"22+":1000}
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):1EDI2010ASXUMA1
上升时间:120ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1 Driver
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT, MOSFET Gate Drivers
包装方式:Reel
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):1EDI2010ASXUMA1
上升时间:120ns
驱动通道数:1 Driver
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT, MOSFET Gate Drivers
包装方式:Reel
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304HRHAR
上升时间:300ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304HRHAR
上升时间:300ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304HRHAR
上升时间:300ns
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):280psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IM818SCCXKMA1
上升时间:25ns
驱动通道数:6 Driver
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT, MOSFET Gate Drivers
驱动配置:High-Side, Low-Side
包装方式:Tube
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304HRHAT
上升时间:300ns
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304HRHAT
上升时间:300ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):1EDI2010ASXUMA1
上升时间:120ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1 Driver
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT, MOSFET Gate Drivers
包装方式:Reel
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):750psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC5870QDWJRQ1
上升时间:150ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:15A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:15A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):750psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC5870QDWJRQ1
上升时间:150ns
驱动通道数:1
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:15A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:15A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":222,"19+":3568,"9999":3,"H1+":109}
包装规格(MPQ):280psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IM818SCCXKMA1
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6 Driver
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT, MOSFET Gate Drivers
驱动配置:High-Side, Low-Side
包装方式:Tube
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":19000}
销售单位:个
规格型号(MPN):1EDI2004ASXUMA1
上升时间:120ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~+150℃
峰值拉电流:2A
峰值灌电流:2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304SRHAR
上升时间:300ns
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):750psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC5870QDWJRQ1
上升时间:150ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:15A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:15A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304SRHAR
上升时间:300ns
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304SRHAR
上升时间:300ns
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304SRHAR
上升时间:300ns
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304SRHAR
上升时间:300ns
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货