包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：289，"21+"：7298}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233PBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LB1837ML-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：双极性
工作温度：-20°C~80°C（TA）
负载类型：电感
电源电压：3V~9V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2112STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5104DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5111DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"12+"：493，"19+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LB1837M-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：双极性
工作温度：-20°C~80°C（TA）
负载类型：电感
电源电压：3V~9V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05I06PJXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"10+"：4359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"18+"：4，"23+"：765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5106BDR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2235JPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"17+"：44，"18+"：180，"20+"：540}
包装规格(MPQ)：27psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233JPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5304DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5104DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2112SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：677}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL05I06PJXUMA1
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104DR2G
上升时间：85ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"18+"：4532}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
