品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"10+"：4359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2128STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"10+"：4359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2128STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"18+"：1048}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2128PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"22+"：4681}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"10+"：4359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2128STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"22+"：4681}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2128STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2128SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：2207
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2128SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
