生产批次：{"17+"：6222，"30+"：3000，"9999"：175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2308PBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2108STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2108STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2308STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2005S8-13
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2109STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：56890，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21064STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2308SPBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2308STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2308SPBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2106STRPBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2005S8-13
上升时间：100ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2106STRPBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21091STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2108STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
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驱动配置：半桥
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2109STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
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驱动配置：半桥
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库存：有货
生产批次：{"19+"：2950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2109PBF
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ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2108STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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生产批次：{"18+"：20553}
包装规格(MPQ)：55psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21084SPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2308STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21064STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2308STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2109STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2308STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
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库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2106STRPBF
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2005S8-13
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驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
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库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21064STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21094PBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2005S8-13
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21064STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
