销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DRBT
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DRBR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DRBR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DRBR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DRBT
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226D
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DRBR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226D
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DRBT
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DRBT
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"07+"：675，"10+"：75}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226D
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DR
上升时间：10ns
下降时间：10ns
包装方式：卷带（TR）
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
负载类型：N沟道MOSFET
工作温度：-40℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：TPS28226DRBT
下降时间：10ns
负载类型：N沟道MOSFET
上升时间：10ns
包装方式：卷带（TR）
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DRBR
上升时间：10ns
下降时间：10ns
包装方式：卷带（TR）
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
负载类型：N沟道MOSFET
工作温度：-40℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226D
上升时间：10ns
下降时间：10ns
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
负载类型：N沟道MOSFET
工作温度：-40℃~125℃
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：TPS28226DRBT
下降时间：10ns
负载类型：N沟道MOSFET
上升时间：10ns
包装方式：卷带（TR）
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
