销售单位:个
规格型号(MPN):TPS28225DR
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~8.8V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LMG5200MOFT
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.75V~5.25V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BQNGTRQ1
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95485RWJT
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5101AM/NOPB
上升时间:430ns
驱动通道数:2
下降时间:260ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27282QDRCRQ1
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.5A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95372AQ5M
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27714DR
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LMG1205YFXR
上升时间:7ns
驱动通道数:2
下降时间:3.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM25101ASD/NOPB
上升时间:430ns
驱动通道数:2
下降时间:260ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8714SQRVJRQ1
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:3.3V~5.5V
特性:过流保护(OCP);过压保护(OVP)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95379Q3MT
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDA
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS51601ADRBR
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~105℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27200DR
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27201ADDA
上升时间:8ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712QDQ1
上升时间:16ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.8A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDAR
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BQNGTTQ1
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8908QPWPRQ1
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:3V~5.5V
特性:过流保护(OCP);过压保护(OVP)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27714DR
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95372BQ5M
上升时间:限流,超温,击穿,短路,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27201AQDMKRQ1
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27282QDDARQ1
上升时间:12ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.5A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):SM74104SDX/NOPB
上升时间:600ns
驱动通道数:2
下降时间:600ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.6A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BMA/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM25101BSD/NOPB
上升时间:570ns
驱动通道数:2
下降时间:430ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5104M/NOPB
上升时间:600ns
驱动通道数:2
下降时间:600ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.6A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货