销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28225DR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~8.8V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5110-2MX/NOPB
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：3.5V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5109BQNGTRQ1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5134ASDX/NOPB
上升时间：3ns
驱动通道数：1
下降时间：2ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：7.6A
电源电压：4V~12.6V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5101AM/NOPB
上升时间：430ns
驱动通道数：2
下降时间：260ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27282QDRCRQ1
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.5A
电源电压：5.5V~16V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5114BSD/NOPB
上升时间：82ns
驱动通道数：1
下降时间：12.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：7.6A
电源电压：4V~12.6V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"12+"：13205，"14+"：6954}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5111-3M/NOPB
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：3.5V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8304HRHAR
上升时间：300ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：150ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：300mA
电源电压：6V~38V
峰值灌电流：150mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM25101ASD/NOPB
上升时间：430ns
驱动通道数：2
下降时间：260ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211DDA
上升时间：7.2ns
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS51601ADRBR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~105℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27200DR
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201ADDA
上升时间：8ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2819DBVT
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624DR
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2828DBVR
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2819DBVR
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5111-2MX/NOPB
上升时间：14ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：3.5V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
上升时间：7.2ns
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5109BQNGTTQ1
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8304SRHAR
上升时间：300ns
驱动通道数：3
下降时间：150ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：300mA
电源电压：6V~38V
峰值灌电流：150mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3706DW
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201AQDMKRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27282QDDARQ1
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.5A
电源电压：5.5V~16V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SM74104SDX/NOPB
上升时间：600ns
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5109BMA/NOPB
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM25101BSD/NOPB
上升时间：570ns
驱动通道数：2
下降时间：430ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
