销售单位:个
规格型号(MPN):TPS28225DR
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~8.8V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27524AQDRQ1
上升时间:7ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27325DR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5110-2MX/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BQNGTRQ1
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5101AM/NOPB
上升时间:430ns
驱动通道数:2
下降时间:260ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27282QDRCRQ1
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.5A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
生产批次:{"12+":13205,"14+":6954}
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5111-3M/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27714DR
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LMG1205YFXR
上升时间:7ns
驱动通道数:2
下降时间:3.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM25101ASD/NOPB
上升时间:430ns
驱动通道数:2
下降时间:260ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27323DGNR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC37324DR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDA
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27526DSDR
上升时间:7ns
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS51601ADRBR
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~105℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27524DSDT
上升时间:7ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):80psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27424DGN
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27200DR
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27324DR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27201ADDA
上升时间:8ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27624DR
上升时间:6ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~26V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27424DGNR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27424DGNR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):80psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27524DGN
上升时间:7ns
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5111-2MX/NOPB
上升时间:14ns
驱动通道数:2
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712QDQ1
上升时间:16ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.8A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDAR
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BQNGTTQ1
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27323DR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货