销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27524AQDRQ1
上升时间:7ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27325DR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LMG5200MOFT
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.75V~5.25V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5110-2MX/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BQNGTRQ1
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27282QDRCRQ1
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.5A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95372AQ5M
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
生产批次:{"12+":13205,"14+":6954}
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5111-3M/NOPB
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:3.5V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8304HRHAR
上升时间:300ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:3
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:300mA
电源电压:6V~38V
峰值灌电流:150mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27517AQDBVRQ1
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95472Q5MCT
ECCN:EAR99
工作温度:-55℃~+150℃
电源电压:4.5V~5.5V
特性:过流保护(OCP);过热保护(OPT)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8714SQRVJRQ1
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:3.3V~5.5V
特性:过流保护(OCP);过压保护(OVP)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8452DDWR
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95379Q3MT
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27323DGNR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC37324DR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS51601ADRBR
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~105℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27524DSDT
上升时间:7ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):80psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27424DGN
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27531QDBVRQ1
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27200DR
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95375Q4M
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+150℃
电源电压:4.5V~5.5V
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27424DGNR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS2819DBVR
上升时间:14ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:14ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8244HQDGQRQ1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):750psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC5870QDWJRQ1
上升时间:150ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:150ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:15A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:15A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC37324DR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27423DR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8908QPWPRQ1
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:3V~5.5V
特性:过流保护(OCP);过压保护(OVP)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货