包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3706DW
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3706N
上升时间：40ns
驱动通道数：2 Driver
下降时间：30ns
工作温度：0℃~+70℃
负载类型：MOSFET Gate Drivers
驱动配置：Low-Side
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"03+"：200，"10+"：6499}
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3706DW
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707N
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC1709L
上升时间：40ns
驱动通道数：2 Driver
下降时间：40ns
工作温度：-55℃~+125℃
电源电压：5V~40V
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3706DW
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710D
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707N
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707N
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707N
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707N
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"05+"：496，"07+"：160，"11+"：40，"13+"：80，"15+"：995}
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC2707DW
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-25℃~85℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3706DW
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707DWTR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3706DW
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707DWTR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"05+"：496，"07+"：160，"11+"：40，"13+"：80，"15+"：995}
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC2707DW
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-25℃~85℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707N
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707DWTR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707DWTR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3707N
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：5V~40V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
