包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDQ1
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC5304DWVR
上升时间：16ns
驱动通道数：1 Driver
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：Isolated Gate Drivers
驱动配置：High-Side， Low-Side
包装方式：Reel
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：64psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC5304DWV
上升时间：16ns
驱动通道数：1 Driver
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：Isolated Gate Drivers
驱动配置：High-Side， Low-Side
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：64psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC5304DWV
上升时间：16ns
驱动通道数：1 Driver
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：Isolated Gate Drivers
驱动配置：High-Side， Low-Side
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDQ1
上升时间：16ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：64psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC5304DWV
上升时间：16ns
驱动通道数：1 Driver
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：Isolated Gate Drivers
驱动配置：High-Side， Low-Side
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDQ1
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDQ1
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：64psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC5304DWV
上升时间：16ns
驱动通道数：1 Driver
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：Isolated Gate Drivers
驱动配置：High-Side， Low-Side
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC5304DWVR
上升时间：16ns
驱动通道数：1 Driver
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：Isolated Gate Drivers
驱动配置：High-Side， Low-Side
包装方式：Reel
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：64psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC5304DWV
上升时间：16ns
驱动通道数：1 Driver
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：Isolated Gate Drivers
驱动配置：High-Side， Low-Side
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC5304DWVR
上升时间：16ns
驱动通道数：1 Driver
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：Isolated Gate Drivers
驱动配置：High-Side， Low-Side
包装方式：Reel
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
