品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624DR
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624DGNR
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624DR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624DR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624DGNR
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624DR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDRQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDRQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDRQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624DR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530QDWKQ1
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWK
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21530DWKR
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~130℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
