包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVR
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVR
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVR
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVR
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR
上升时间：过流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~33V
峰值灌电流：2.5A
特性：充电泵
驱动配置：半桥（4）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
