销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524AQDRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511DBVR
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211DDA
上升时间：7.2ns
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27526DSDR
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524DSDT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27200DR
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201ADDA
上升时间：8ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：80psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524DGN
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
上升时间：7.2ns
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27519DBVT
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201AQDMKRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524DR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27525DSDR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27532DBVR
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524D
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27518DBVT
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27525DR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511ADBVR
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27528DR
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27516DRSR
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27523DR
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27201DRMT
上升时间：8ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27200DR
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27519DBVT
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27537DBVT
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524P
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27533DBVT
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517DBVR
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27200ADRMT
上升时间：8ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
