包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4100YM
上升时间:400ns
驱动通道数:2
下降时间:400ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~16V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5101AM/NOPB
上升时间:430ns
驱动通道数:2
下降时间:260ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
生产批次:2221
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2183SPBF
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.9A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
生产批次:{"17+":6222,"30+":3000,"9999":175}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2308PBF
上升时间:100ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):L298N
工作温度:-40℃~+150℃
电源电压:4.5V~7V
特性:过流保护(OCP);过热保护(OPT)
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
生产批次:{"18+":5613,"20+":2815}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21834PBF
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.9A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"19+":289,"21+":7298}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2233PBF
上升时间:90ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:40ns
工作温度:125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDA
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):LCS701LG
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:11.4V~15V
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):45psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2110SPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:17ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:3.3V~20V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2101SPBF
上升时间:100ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:360mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:210mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2104PBF
上升时间:100ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:360mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:210mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):L298N
工作温度:-40℃~+150℃
电源电压:4.5V~7V
特性:过流保护(OCP);过热保护(OPT)
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712QDQ1
上升时间:16ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.8A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2114SSPBF
上升时间:24ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:3A
电源电压:11.5V~20V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4605-2YM
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):960psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL78420AVEZ
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):LCS701LG
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:11.4V~15V
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2109SPBF
上升时间:150ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2304PBF
上升时间:70ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21844PBF
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.9A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
生产批次:{"18+":655,"22+":3513,"23+":5654,"MI+":3800}
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2004SPBF
上升时间:70ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5109BMA/NOPB
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):45psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2010SPBF
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5104M/NOPB
上升时间:600ns
驱动通道数:2
下降时间:600ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.6A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWK
上升时间:6ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2183SPBF
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.9A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2181SPBF
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.9A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
生产批次:{"16+":1367,"18+":6875}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21365SPBF
上升时间:125ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:12V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14700-E/SN
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:到货后发货