生产批次：{"15+"：25，"17+"：1482，"18+"：1158，"20+"：425，"9999"：95}

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：48100}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DSPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：720psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4080AIPZ

ECCN：EAR99

下降时间：N 沟道 MOSFET

工作温度：-40°C~85°C（TA）

负载类型：容性和阻性

峰值拉电流：2.6A

电源电压：9.5V~15V

特性：自举电路

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：720psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4080AIPZ

ECCN：EAR99

下降时间：N 沟道 MOSFET

工作温度：-40°C~85°C（TA）

负载类型：容性和阻性

峰值拉电流：2.6A

电源电压：9.5V~15V

特性：自举电路

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：720psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4080AIPZ

ECCN：EAR99

下降时间：N 沟道 MOSFET

工作温度：-40°C~85°C（TA）

负载类型：容性和阻性

峰值拉电流：2.6A

电源电压：9.5V~15V

特性：自举电路

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：48100}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DSPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：48100}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DSPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DSPBF

上升时间：120ns

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DPBF

上升时间：120ns

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：48100}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DSPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DPBF

上升时间：120ns

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：5，"19+"：1564}

包装规格(MPQ)：55psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS24531DSPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：25，"17+"：1482，"18+"：1158，"20+"：425，"9999"：95}

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：25，"17+"：1482，"18+"：1158，"20+"：425，"9999"：95}

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：25，"17+"：1482，"18+"：1158，"20+"：425，"9999"：95}

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：25，"17+"：1482，"18+"：1158，"20+"：425，"9999"：95}

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2453DPBF

上升时间：120ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：50ns

工作温度：-25℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：260mA

电源电压：10V~15.6V

峰值灌电流：180mA

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：960psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

上升时间：9ns

驱动通道数：4

下降时间：9ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：720psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP4080AIPZ

ECCN：EAR99

下降时间：N 沟道 MOSFET

工作温度：-40°C~85°C（TA）

负载类型：容性和阻性

峰值拉电流：2.6A

电源电压：9.5V~15V

特性：自举电路

驱动配置：全桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"18+"：48100}

规格型号(MPN)：IRS2453DSPBF

上升时间：120ns

下降时间：50ns

驱动配置：全桥

峰值拉电流：260mA

峰值灌电流：180mA

负载类型：N沟道MOSFET

包装方式：管件

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

工作温度：-25℃~125℃

电源电压：10V~15.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：960psc

规格型号(MPN)：ISL83202IBZ

驱动配置：全桥

上升时间：9ns

峰值灌电流：1A

负载类型：N沟道MOSFET

下降时间：9ns

包装方式：管件

电源电压：8.5V~15V

工作温度：-55℃~150℃

驱动通道数：4

峰值拉电流：1A

包装清单：商品主体 * 1