包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2836D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6384ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：14.6V~16.6V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6385ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2832D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6385ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386AD
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386AD
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2837D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386AD
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2832D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6387E
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386AD
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2836D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2837D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2837D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6384ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：14.6V~16.6V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6387ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2836D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2836D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2832D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6384ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-45℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：14.6V~16.6V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2836D
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"04+"：1475，"05+"：1950，"10+"：200，"MI+"：546}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2832D
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"02+"：40，"04+"：720，"05+"：4680，"06+"：900，"07+"：3870，"08+"：1094，"12+"：8010，"99+"：2016}
包装规格(MPQ)：90psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2835PWP
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"05+"：225，"07+"：3400，"08+"：20350，"13+"：3000，"9999"：51，"MI+"：825}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2837D
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2.7A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
