包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM27222M/NOPB
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4V~6.85V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM27222M/NOPB
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4V~6.85V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM27222M/NOPB
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4V~6.85V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM27222M/NOPB
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4V~6.85V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM27222M/NOPB
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4V~6.85V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM27222M/NOPB
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4V~6.85V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"13+"：16815}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM27222M
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4V~6.85V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"03+"：693，"04+"：180，"05+"：2771，"06+"：1005，"07+"：586，"08+"：269，"12+"：107，"14+"：2750}
包装规格(MPQ)：90psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27222PWP
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~115℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：3.7V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：35，"11+"：14855，"12+"：50，"13+"：38，"MI+"：1990}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM27222M/NOPB
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4V~6.85V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM27222M/NOPB
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4V~6.85V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM27222M/NOPB
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4V~6.85V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：35，"11+"：14855，"12+"：50，"13+"：38，"MI+"：1990}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
