品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609CI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609YI
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14A0902-E/SN
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：22ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609YI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14A0902-E/SN
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：22ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21867SPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609PI
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"23+"：9599}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186SPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186SPBF
上升时间：22ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186SPBF
上升时间：22ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186SPBF
上升时间：22ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864PBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609PI
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864PBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864PBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609YI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609YI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609CI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864SPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609CI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864PBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609PI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609CI
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609YI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609YI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609YI
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609YI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864PBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
