包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2153PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~15.6V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：4，"23+"：765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2112SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"9999"：2470}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2153SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~15.6V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2118PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2153SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~15.6V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2153PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~15.6V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：2206，"23+"：2795，"9999"：790，"MI+"：613}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21531SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~15.6V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"17+"：141，"21+"：1800，"22+"：7544，"24+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21531DPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~15.6V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2111PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21531DPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~15.6V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21531DPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~15.6V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"22+"：1721}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"19+"：2800，"22+"：2828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2118PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"20+"：315，"22+"：3119，"9999"：27}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2112SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"19+"：67，"22+"：26743}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
