生产批次：{"10+"：2915}

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：2915}

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301PBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：7600}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2301SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2301SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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生产批次：{"22+"：390}

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2302SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2302SPBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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包装方式：管件

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生产批次：{"17+"：4550，"18+"：2900，"20+"：2838，"9999"：2113}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301PBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2302SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TD350E

上升时间：130ns

驱动通道数：1

下降时间：75ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：12V~26V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高端

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TD350E

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驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

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峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高端

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2302SPBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2302SPBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2301SPBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2302SPBF

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驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2302SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：4550，"18+"：2900，"20+"：2838，"9999"：2113}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301PBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2302SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：LT1336CS#PBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

下降时间：60ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：10V~15V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

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生产批次：{"17+"：4550，"18+"：2900，"20+"：2838，"9999"：2113}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301PBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2301SPBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301SPBF

上升时间：130ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

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峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：4550，"18+"：2900，"20+"：2838，"9999"：2113}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2301PBF

上升时间：130ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1