品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6700IBZ
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.3A
电源电压：9V~15V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6700IBZ
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.3A
电源电压：9V~15V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6700IBZ
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.3A
电源电压：9V~15V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
上升时间：5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222D
上升时间：5ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
包装方式：管件
峰值拉电流：6A
工作温度：-40℃~150℃
上升时间：5ns
下降时间：6ns
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
包装方式：管件
峰值拉电流：6A
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
上升时间：5ns
下降时间：6ns
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC21222QDQ1
电源电压：3V~5.5V
峰值灌电流：4A
包装方式：管件
峰值拉电流：6A
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
上升时间：5ns
下降时间：6ns
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
