生产批次：{"19+"：238}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-055DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：1680}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-035DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.1A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：1680，"19+"：17040}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-044DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：3A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：495}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-084DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：4.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：10800，"20+"：960}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-065PA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：5555}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-055DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：5480}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-035DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.1A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3600，"22+"：16800}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-065DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：3840，"19+"：12000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-044PA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：3A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2640，"20+"：2880}

包装规格(MPQ)：15psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-055DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：1680，"19+"：17040}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-044DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：3A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3600，"22+"：16800}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-065DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：29，"19+"：442，"MI+"：240}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-055PA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：720}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-065DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：5480}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-035DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.1A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：2160}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-084DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：4.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：2160}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-084DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：4.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJQ1

上升时间：150ns

驱动通道数：1

下降时间：150ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJQ1

上升时间：150ns

驱动通道数：1

下降时间：150ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：10800，"20+"：960}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-065PA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：3840，"19+"：12000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-044PA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：3A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：2160}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-084DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：4.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-044PA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：3A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：1680}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-035DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.1A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：1680}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-035DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.1A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：10800，"20+"：960}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-065PA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：479}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-065DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1