生产批次：{"14+"：600，"9999"：8}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：600，"9999"：8}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630MYI

上升时间：11ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：9V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630MYI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：9V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：600，"9999"：8}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630MYI

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ECCN：EAR99

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：9V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630MYI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：9V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK621-033N-E

上升时间：限流，UVLO

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自动重启，自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630MYI

上升时间：11ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：9V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630YI

上升时间：11ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN630MYI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：9V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN630MYI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：9V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD630MYI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：9V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630MYI

上升时间：11ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：9V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

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峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN630YI

上升时间：11ns

驱动通道数：1

下降时间：11ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~35V

峰值灌电流：30A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1