销售单位：个
规格型号(MPN)：L6498LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6498LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"11+"：974}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8014T-MPB-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：2.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥（4）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6494LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"11+"：974}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8014T-MPB-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：2.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥（4）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213PBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2110SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213PBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8014T-MPB-E
上升时间：超温
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：2.5A
电源电压：2.7V~5.5V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥（4）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6494LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6494LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2110SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6494LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6498LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2110PBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"9999"：810，"MI+"：1560}
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"9999"：368}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR25607SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"13+"：75，"16+"：90，"17+"：683，"18+"：2750，"20+"：1637，"21+"：1250，"9999"：219}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2110PBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR25607SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"9999"：810，"MI+"：1560}
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"9999"：810，"MI+"：1560}
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR25607SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2110PBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"9999"：810，"MI+"：1560}
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR25607SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6494LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2110PBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
