生产批次：{"14+"：600，"9999"：8}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：600，"9999"：8}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：600，"9999"：8}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJQ1

上升时间：150ns

驱动通道数：1

下降时间：150ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJQ1

上升时间：150ns

驱动通道数：1

下降时间：150ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK621-033N-E

上升时间：限流，UVLO

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自动重启，自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

上升时间：UVLO

下降时间：IGBT

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJQ1

上升时间：150ns

驱动通道数：1

下降时间：150ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJQ1

电源电压：3V~5.5V

下降时间：150ns

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

驱动配置：低端

峰值拉电流：15A

上升时间：150ns

包装方式：管件

驱动通道数：1

峰值灌电流：15A

工作温度：-40℃~125℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK621-033N-E

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

驱动配置：半桥（3）

特性：自动重启，自举电路，状态标志

上升时间：限流，UVLO

包装方式：管件

下降时间：IGBT

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

负载类型：电感

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：600，"9999"：8}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

上升时间：UVLO

包装方式：管件

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

负载类型：电感

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJQ1

电源电压：3V~5.5V

下降时间：150ns

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

驱动配置：低端

峰值拉电流：15A

上升时间：150ns

包装方式：管件

驱动通道数：1

峰值灌电流：15A

工作温度：-40℃~125℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：600，"9999"：8}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

上升时间：UVLO

包装方式：管件

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

负载类型：电感

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK57FU391A-E

工作温度：-20°C~150°C（TJ）

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

上升时间：UVLO

包装方式：管件

下降时间：IGBT

峰值拉电流：30A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：15A

负载类型：电感

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

驱动配置：半桥

峰值拉电流：15A

峰值灌电流：15A

工作温度：-40℃~125℃

包装方式：管件

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

电源电压：3.3V

包装清单：商品主体 * 1