包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5101AM/NOPB

上升时间：430ns

驱动通道数：2

下降时间：260ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14E11-E/P

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4124YME

上升时间：11ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：45psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2010SPBF

上升时间：10ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424CPA

上升时间：23ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4424YM

上升时间：28ns

驱动通道数：2

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4125YME

上升时间：11ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424EOE

上升时间：23ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4424ZN

上升时间：28ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：32ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3708N

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：5V~35V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：1680，"19+"：17040}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-044DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：3A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：56psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424MJA

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1413NEOA

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP14A0304-E/MS

上升时间：12ns

驱动通道数：2

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27200DDA

上升时间：8ns

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7392N

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27200ADDA

上升时间：8ns

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1413NEOA

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4124YME

上升时间：11ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5111-1M/NOPB

上升时间：14ns

驱动通道数：2

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：3.5V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM27222M/NOPB

上升时间：17ns

驱动通道数：2

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：4V~6.85V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424EPA

上升时间：23ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4424YM

上升时间：28ns

驱动通道数：2

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27200AD

上升时间：8ns

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：47psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4423COE

上升时间：23ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：45psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2010SPBF

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424EPA

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1413NEPA

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4423CPA

上升时间：23ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：980psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2111ABZ

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：7.5ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1