销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5104M/NOPB
上升时间：600ns
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SM74104MA/NOPB
上升时间：600ns
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：8880，"20+"：2880}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM505-024DA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：7A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.6A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SM74104MA/NOPB
上升时间：600ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5104M/NOPB
上升时间：600ns
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：5040，"19+"：8989}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM515-024PA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：7A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.6A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2125SPBF
上升时间：43ns
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：0V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：5040，"19+"：8989}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM515-024PA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：7A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.6A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2121PBF
上升时间：43ns
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：12V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5104M
上升时间：600ns
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2125SPBF
上升时间：43ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：0V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2125SPBF
上升时间：43ns
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：0V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：8880，"20+"：2880}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM505-024DA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：7A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.6A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：5040，"19+"：8989}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM515-024PA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：7A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.6A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5101M/NOPB
上升时间：600ns
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2121PBF
上升时间：43ns
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：12V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2125SPBF
上升时间：43ns
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：0V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：8880，"20+"：2880}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM505-024DA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：7A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.6A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5101M/NOPB
上升时间：600ns
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：852，"21+"：43059，"22+"：5400，"23+"：9930}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2121PBF
上升时间：43ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：12V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：852，"21+"：43059，"22+"：5400，"23+"：9930}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2121PBF
上升时间：43ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：12V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2125PBF
上升时间：43ns
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：0V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"16+"：39，"17+"：19，"18+"：10，"22+"：1391，"23+"：1355}
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2125SPBF
上升时间：43ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：0V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"18+"：8880，"20+"：2880}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM505-024DA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：7A
电源电压：13.5V~16.5V
峰值灌电流：1.6A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SM74104MA/NOPB
上升时间：600ns
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SM74104MA/NOPB
上升时间：600ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5104M/NOPB
上升时间：600ns
驱动通道数：2
下降时间：600ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.6A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
生产批次：{"10+"：640，"12+"：918}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LA6584M-MPB-H
ECCN：EAR99
下降时间：双极性
工作温度：-30°C~90°C（TA）
负载类型：电感
电源电压：2.8V~14V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2125PBF
上升时间：43ns
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：0V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2125SPBF
上升时间：43ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：0V~18V
峰值灌电流：1.6A
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：到货后发货
