包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L5991D
启动电压：15V
拓扑结构：反激，升压
输出隔离：隔离
工作温度：-40℃~150℃
包装方式：管件
最大占空比：93%
开关频率：1MHz
电源电压：10V~20V
特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：2221
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2183SPBF
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"17+"：6222，"30+"：3000，"9999"：175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2308PBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"18+"：5613，"20+"：2815}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21834PBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：289，"21+"：7298}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233PBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2101SPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2104PBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDQ1
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2109SPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2304PBF
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21844PBF
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"18+"：655，"22+"：3513，"23+"：5654，"MI+"：3800}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2010SPBF
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2183SPBF
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2181SPBF
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2101SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2184PBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"23+"：19650，"9999"：11}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21844SPBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"17+"：484，"20+"：6}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2108PBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2103SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"18+"：4，"23+"：765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011PBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"18+"：5535，"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2181PBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2109PBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3854BDW
工作温度：0℃~+70℃
包装方式：管件
开关频率：200kHz
电源电压：10V~20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7392N
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2235JPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"17+"：44，"18+"：180，"20+"：540}
包装规格(MPQ)：27psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233JPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
