生产批次：{"10+"：2915}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"10+"：2915}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340N
上升时间：7ns，7ns
驱动通道数：独立式
工作温度：-55°C~150°C
负载类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A，5A
是否隔离：CMOS/TTL
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301PBF
上升时间：130ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"23+"：7600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2301SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2301SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301SPBF
上升时间：130ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"22+"：390}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2302SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2302SPBF
上升时间：130ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"17+"：4550，"18+"：2900，"20+"：2838，"9999"：2113}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301PBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2302SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2302SPBF
上升时间：130ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2302SPBF
上升时间：130ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2301SPBF
上升时间：130ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340UE
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2302SPBF
上升时间：130ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2302SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"17+"：4550，"18+"：2900，"20+"：2838，"9999"：2113}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301PBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2302SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340N
上升时间：7ns，7ns
驱动通道数：独立式
工作温度：-55°C~150°C
负载类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A，5A
是否隔离：CMOS/TTL
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"17+"：4550，"18+"：2900，"20+"：2838，"9999"：2113}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301PBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
