销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP3420DR2G
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.6V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
工作温度：0℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
输出电流：1.5A
电源电压：4.75V~5.25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：AC-DC电源芯片
行业应用：其他
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP1217AD65R2G
启动电压：12.8V
拓扑结构：反激
输出隔离：隔离
工作温度：0℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
最大占空比：46.5%
开关频率：65kHz
电源电压：7.6V~16V
特性：过载，超温，短路
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"03+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP3418APDR2
上升时间：18ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.6V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4420COA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1412NCOA713
上升时间：18ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4424COE713
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81161MNTBG
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP3420DR2G
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.6V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4423COE713
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4420ZM-TR
上升时间：12ns
驱动通道数：1
下降时间：13ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4428ZM-TR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：AC-DC电源芯片
行业应用：其他
生产批次：{"08+"：1850，"13+"：550，"MI+"：2499}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP1217AD65R2G
启动电压：12.8V
拓扑结构：反激
输出隔离：隔离
工作温度：0℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
最大占空比：46.5%
开关频率：65kHz
电源电压：7.6V~16V
特性：过载，超温，短路
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4427ZM-TR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4468COE713
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4421ZM-TR
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：24ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81062MNTWG
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4427ZM-TR
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4421ZM-TR
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：24ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81161MNTBG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5901BMNTBG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"04+"：67500，"06+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP1216D100R2
拓扑结构：反激
输出隔离：隔离
工作温度：0℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
最大占空比：75%
开关频率：100kHz
电源电压：10V~16V
特性：过载，超温，短路
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：AC-DC电源芯片
行业应用：其他
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP1216D100R2G
拓扑结构：反激
输出隔离：隔离
工作温度：0℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
最大占空比：75%
开关频率：100kHz
电源电压：10V~16V
特性：过载，超温，短路
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：DC-DC电源芯片
行业应用：其它
生产批次：{"04+"：4000，"MI+"：4000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
输出电流：4A
功能类型：升压，升压/降压
输出通道：1
拓扑结构：升压，反激，正激转换器，SEPIC
输出类型：可调式
开关频率：560kHz
同步整流：无
输入电压：2.7V~30V
工作温度：0℃~150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1412NCOA713
上升时间：18ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81062MNTWG
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"09+"：157500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP3418BDR2G
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.6V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：AC-DC电源芯片
行业应用：其他
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP1216AD133R2G
拓扑结构：反激
输出隔离：隔离
工作温度：0℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
最大占空比：46.5%
开关频率：133kHz
电源电压：10V~16V
特性：过载，超温，短路
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"21+"：2802}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ADP3110AKRZ-RL
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.6V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
