包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.65nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.2A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP15N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：156W

阈值电压：4V

栅极电荷：35nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：304mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFU9220-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：42W

阈值电压：4V

栅极电荷：20nC

连续漏极电流：3.6A

类型：MOSFET

导通电阻：1.5Ω

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.65nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.2A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG17N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：15A

类型：MOSFET

导通电阻：305mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR516DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

栅极电荷：23.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：63.7A

类型：MOSFET

导通电阻：9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD2N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：7nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：2.9A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP15N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：156W

阈值电压：4V

栅极电荷：35nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：304mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：11nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.4A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF9620PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：3.5A

类型：MOSFET

导通电阻：1.5Ω

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR586DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：71.4W

阈值电压：4V

栅极电荷：25.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：64.9A

类型：MOSFET

导通电阻：5.3mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP15N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：156W

阈值电压：4V

栅极电荷：35nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：304mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG17N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：15A

类型：MOSFET

导通电阻：305mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1