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    MINOS Mosfet场效应管 IRF9540NS
    MINOS Mosfet场效应管 IRF9540NS

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NS

    功率:180W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.315nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:11pF@25V

    导通电阻:26mΩ@10V,15A

    漏源电压:110V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月11日前
    - +
    起购:100
    MINOS Mosfet场效应管 IRF9540NS
    MINOS Mosfet场效应管 IRF9540NS

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NS

    功率:180W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.315nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:11pF@25V

    导通电阻:26mΩ@10V,15A

    漏源电压:110V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月11日前
    - +
    起购:10
    MINOS Mosfet场效应管 MPG30P10P
    MINOS Mosfet场效应管 MPG30P10P

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG30P10P

    功率:180W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.315nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:11pF@25V

    导通电阻:26mΩ@10V,15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月11日前
    - +
    起购:11
    MINOS Mosfet场效应管 IRF9540NS
    MINOS Mosfet场效应管 IRF9540NS

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NS

    功率:180W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.315nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:11pF@25V

    导通电阻:26mΩ@10V,15A

    漏源电压:110V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月11日前
    - +
    起购:5
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30P10D
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30P10D

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT30P10D

    功率:180W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.315nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:11pF@25V

    导通电阻:26mΩ@10V,15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月11日前
    - +
    起购:12
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30P10D
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30P10D

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT30P10D

    功率:180W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.315nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:11pF@25V

    导通电阻:26mΩ@10V,15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月27日前
    - +
    起购:100
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30P10D
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30P10D

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT30P10D

    功率:180W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.315nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:11pF@25V

    导通电阻:26mΩ@10V,15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月11日前
    - +
    起购:9
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30P10D
    MINOS Mosfet场效应管 MDT30P10D

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT30P10D

    功率:180W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.315nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:11pF@25V

    导通电阻:26mΩ@10V,15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    8月11日前
    - +
    起购:500
    MINOS Mosfet场效应管 IRF9540
    MINOS Mosfet场效应管 IRF9540

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540

    功率:180W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.315nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:11pF@25V

    导通电阻:26mΩ@10V,15A

    漏源电压:110V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月27日前
    - +
    起购:50
    MINOS Mosfet场效应管 IRF9540NS
    MINOS Mosfet场效应管 IRF9540NS

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NS

    功率:180W

    导通电阻:26mΩ@10V,15A

    连续漏极电流:35A

    输入电容:2.315nF@25V

    反向传输电容:11pF@25V

    漏源电压:110V

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月13日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月11日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:10
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
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    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月27日前
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    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

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    8月11日前
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