包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：CSD18533KCS
栅极电荷：34nC@10V
连续漏极电流：72A€100A
功率：192W
导通电阻：6.3mΩ@75A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：3025pF@30V
包装方式：管件
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
