品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N-Channel
导通电阻：3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N-Channel
导通电阻：3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N-Channel
导通电阻：3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N-Channel
导通电阻：3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1506
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：14+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1506
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
