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    连续漏极电流: 24A
    阈值电压: 4V@250µA
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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI1310NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月28日前
    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB150CF C0G 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB150CF C0G 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB150CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1765pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月28日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI1310NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:36mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:800
    加购:800
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06T4
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:6
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH24N50
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH24N50

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH24N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:10
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH24N50
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH24N50

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH24N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STW28N60M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N60M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI1310NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:36mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:200
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STB33N65M2
    ST Mosfet场效应管 STB33N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB33N65M2

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:41.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1790pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:2000
    加购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI1310NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:36mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STP28N60M2
    ST Mosfet场效应管 STP28N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP24N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP24N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STW28N60M2
    ST Mosfet场效应管 STW28N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STP28N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP28N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP28N60M2
    ST Mosfet场效应管 STP28N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP24N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP24N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP28N60M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP28N60M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STP28N60M2
    ST Mosfet场效应管 STP28N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    8月12日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI1310NPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI1310NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N-Channel

    导通电阻:36mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
    - +
    起购:50
    加购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月28日前
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