品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：3.6V@379μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
连续漏极电流：135A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP023N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：245W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13765pF@37.5V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.35mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：3.6V@379μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
连续漏极电流：135A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：3.6V@379μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
连续漏极电流：135A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：3.6V@379μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
连续漏极电流：135A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：3.6V@379μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
连续漏极电流：135A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：80nC@10V
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：18A€80A
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
输入电容：3.9nF@25V
导通电阻：5mΩ@10V，80A
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP023N08B-F102
输入电容：13765pF@37.5V
漏源电压：75V
类型：N沟道
阈值电压：3.8V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：245W
包装方式：管件
导通电阻：2.35mΩ@75A，10V
栅极电荷：195nC@10V
连续漏极电流：120A
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
类型：1个N沟道
连续漏极电流：135A
漏源电压：150V
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
功率：245W
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：3.6V@379μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
栅极电荷：80nC@10V
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：18A€80A
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
输入电容：3.9nF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：5mΩ@80A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS6D0N15MC
类型：1个N沟道
连续漏极电流：135A
漏源电压：150V
反向传输电容：9.7pF@75V
导通电阻：4.6mΩ@10V，69A
功率：245W
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：4.815nF@75V
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：3.6V@379μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
