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    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16404Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD16404Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16404Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD16342Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD16342Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16342Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16342Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD16342Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16342Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD86336Q3DT
    TI Mosfet场效应管 CSD86336Q3DT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86336Q3DT

    工作温度:-55℃~125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA€1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:494pF@12.5V€970pF@12.5V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16414Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16414Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16414Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@12.5V

    连续漏极电流:34A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16340Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16340Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.55V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@12.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD86356Q5D
    TI Mosfet场效应管 CSD86356Q5D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86356Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12W

    阈值电压:1.85V@250µA€1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12.5V€2510pF@12.5V

    连续漏极电流:40A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16342Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD16342Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16342Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16340Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.55V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@12.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:15000
    加购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD16414Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16414Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16414Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@12.5V

    连续漏极电流:34A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
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    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD86311W1723
    TI Mosfet场效应管 CSD86311W1723

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86311W1723

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:585pF@12.5V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
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    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16323Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    9月1日前
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    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

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