品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：73845}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8309-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：30000，"21+"：6000，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8309-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7610，"07+"：4000，"08+"：4000，"10+"：4000，"9999"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD2P102LR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：73845}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8309-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8309-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8309-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1100pF@6V
功率：750mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1100pF@6V
功率：750mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
